<ins id="13rl1"></ins>

                  <nobr id="13rl1"></nobr>
                  <dfn id="13rl1"></dfn>
                  研究方向
                  您現在所在的位置是:首頁 >> 研究方向 >> 核心器件研發
                  核心器件研發:

                         ①垂直結構LED設計研發,相對于傳統平面結構LED,垂直結構LEDPN電極上下垂直分布,芯片內電流分布均勻、散熱良好、便于表面處理、襯底可循環使用。具有取代現有的器件結構成為主流技術方案的潛力。獲得垂直結構的外延、芯片制備及封裝技術;開發出適于不同垂直結構襯底的襯底處理技術;掌握高效垂直結構產業化制備技術;獲得基于大尺寸襯底的垂直結構白光LED制備技術;高效白光LED器件及應用。

                        ②綠光LED研究,由于目前綠光發光效率明顯落后于紅光和藍光,影響RGB光源呈現效果、造成RGB三色在混成白光時陷入發展瓶頸。研究內容包括優化材料生長條件,降低高In組分InGaN材料的缺陷密度、研究InGaN/GaN量子點結構、優化p電流擴展層的生長條件,降低其對綠光的吸收和高溫生長對量子阱結構的破壞、研究II-V族化合物半導體材料,如ZnSe,CdSe,ZnTe等,其發光波長在550-580nm,可以對綠光全光譜(500-580nm)進行很好的補充。  
                   
                        ③ AC/DC交直流LED研發,GaNLED一般在3V左右的直流電下工作,需要加入電源轉換裝置才能接入110V220V的交流市電,一方面電源轉換裝置的使用壽命遠低于LED的壽命,另一方面這個轉換過程消耗20%-30%的能量。如果能將LED直接接入市電,不僅安裝方便,節省成本,提高使用壽命,還有利于提高發光效率。交流LED芯片的幾種實現方法:電路式:在一個芯片上制做多個單元的二極管,然后按一定的串并聯組合連接。電容式:通過二極管與電容串聯來實現分壓的作用,工藝上也很容易把電容直接做到芯片上,從而使LED能直接接入市電。

                         ④在SiCSi襯底上,開發出高性能的基于GaN材料的高電子遷移率三極管(HEMT)和肖特基二極管(SBD)。通過采用氮化鎵二極管作為主整流管,由于幾乎沒有恢復時間,可以極大的減少高頻整流損耗;采用氮化鎵三極管作為主開關管,可以將開關頻率從目前的30-80kHz提高至150-250kHz,從而減少磁性器件的體積,降低磁滯損耗、節約成本。同時,由于氮化鎵三極管具有極低導通電阻、極小的寄生電容,可以極大的降低軟開關的成本。
                  Copylisty@2012 www.myowncustomwebsite.com all right 電話:86-10-82387780 電子郵件:info@sklssl.org
                   歡迎訪問我們的網站          京ICP備12043863號-1          制作維護:中國半導體照明網
                  A片无码免费视频在线观看
                  <ins id="13rl1"></ins>

                                  <nobr id="13rl1"></nobr>
                                  <dfn id="13rl1"></dfn>