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    設備簡介:

    廠商:AST  

    型號 CIRIE-200

     

    技術指標:

    1.刻蝕氣體:主要為氯氣、三氯化硼;

    2.刻蝕材料:GaN、藍寶石;

    3.wafer尺寸:2英寸或以下;

    4.每爐片數:7*2inch

     

    工藝特點:

    1.可以較好地精確地控制刻蝕的深度,刻蝕深度幾十nm到幾個微米;

    2.通過調整刻蝕參數和刻蝕掩膜,可以調節刻蝕的角度,在30度到80度。

     

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