<i id="ltbdb"><output id="ltbdb"><progress id="ltbdb"></progress></output></i><i id="ltbdb"></i>

      <mark id="ltbdb"><cite id="ltbdb"><form id="ltbdb"></form></cite></mark>

        <p id="ltbdb"><font id="ltbdb"></font></p><del id="ltbdb"><delect id="ltbdb"><th id="ltbdb"></th></delect></del>
        <i id="ltbdb"><delect id="ltbdb"></delect></i>

            您現在所在的位置是:首頁 >> 技術服務 >> 儀器設備 >> 感應耦合等離子刻蝕機ICP


            設備簡介:

            廠商:AST  

            型號 CIRIE-200

             

            技術指標:

            1.刻蝕氣體:主要為氯氣、三氯化硼;

            2.刻蝕材料:GaN、藍寶石;

            3.wafer尺寸:2英寸或以下;

            4.每爐片數:7*2inch

             

            工藝特點:

            1.可以較好地精確地控制刻蝕的深度,刻蝕深度幾十nm到幾個微米;

            2.通過調整刻蝕參數和刻蝕掩膜,可以調節刻蝕的角度,在30度到80度。

             

            Copylisty@2012 www.myowncustomwebsite.com all right 電話:86-10-82387780 電子郵件:info@sklssl.org
             歡迎訪問我們的網站          京ICP備12043863號-1          制作維護:中國半導體照明網
            A片无码免费视频在线观看

                <i id="ltbdb"><output id="ltbdb"><progress id="ltbdb"></progress></output></i><i id="ltbdb"></i>

                <mark id="ltbdb"><cite id="ltbdb"><form id="ltbdb"></form></cite></mark>

                  <p id="ltbdb"><font id="ltbdb"></font></p><del id="ltbdb"><delect id="ltbdb"><th id="ltbdb"></th></delect></del>
                  <i id="ltbdb"><delect id="ltbdb"></delect></i>