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            設備簡介:

            廠商:廈門烯成

            型號: G-CVD

             

            技術指標:

            1.可以轉移到2-6英寸Si及其他襯底。生長溫度700-1000;

            2.可轉移52/

             

            工藝特點:

            兼容真空及常壓兩種最主流的生長模式;

            1.采用計算機自動控制,系統內置了多種制備石墨烯的生長參數,用戶只需簡單操作,就可以輕松的制備出高質量的石墨烯;

            2.可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶,也可以制備出數十厘米尺寸的石墨烯連續薄膜;

            3. 可快速升溫、快速降溫,生長一次石墨烯只需30分鐘

              

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